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三星新生产线投产 供应最尖端DRAM

2020/09/01

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半导体

       韩国三星电子的半导体存储器主力基地平泽工厂的第二生产线投产。采用能大幅提升半导体性能、被称为“EUV(极紫外)”的制造技术,开始供应最尖端的DRAM。在竞争对手还在对增产投资犹豫不决的情况下,最大存储器企业三星仍持续进行投资。

 

       平泽工厂第二生产线的总建筑面积约为13万平方米,相当于16个足球场。计划以此次的DRAM为开端,今后还将推进NAND型闪存的量产和半导体代工业务,总投资额超过30万亿韩元(约合人民币1730亿元)。

 

三星平泽工厂的第2条生产线(前)

 

       开始供货的最尖端DRAM是被称为“16GB LPDDR5”的智能手机半导体。在存储器生产中首次采用EUV技术,将半导体电路线宽缩小了1个级别。

 

       三星没有透露具体数字,但有分析认为,电路线宽为15~16纳米。该公司计划到2021年量产下一代DRAM

 

       在DRAM的开发竞争方面,制造技术的难度逐渐提高,各家厂商此前一直停滞在17~18纳米。

 

       日本经济新闻(中文版:日经中文网)细川幸太郎 首尔

 

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