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凸版印刷将量产应对5纳米线宽半导体的光掩膜

2020/07/06

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  针对生产最尖端的电路线宽为5纳米的半导体时使用的光掩膜(Photomask,掩膜板),日本凸版印刷最早将于2021年构建量产体制。应对用于5G和自动驾驶的高功能半导体需求扩大。此外,还力争2023年面向3纳米线宽半导体实现光掩膜的产品化。

    

  半导体的电路线宽越细,性能越高。目前台湾积体电路制造(台积电,TSMC)和三星电子已开始量产最尖端5纳米半导体,但这2家公司均自主生产光掩膜。生产5纳米线宽半导体需要支持新一代制造技术“EUV(极紫外)”的先进技术。

     

  凸版印刷计划,在仅次于三星等的“第2集团”厂商开始生产5纳米半导体时,获得光掩膜的订单。据称随着5G和自动驾驶市场扩大,处理大量数据的半导体需求增加。在此背景下,除了大规模集成电路(LSI)之外,用于智能手机等信息存储的DRAM等也将迈向微细化。

    

  要大量生产微细电路的半导体,光掩膜是不可缺少的零部件。其发挥犹如照片“底片”的作用,用于在硅晶圆上转印电路图。 

     

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