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半导体微细化竞争:3强以外企业掉队

2019/11/12

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       半导体的电路线宽越细,运算处理和存储容量的性能越好,耗电量也将下降,因此半导体厂商一直竞相开发微细化技术。自2010年前后起,技术发展开始停滞,但极紫外线(EUV)光刻这一新技术问世,作为打破目前极限的突破口而受到期待。

 

三星的产品(资料图,kyodo)

  

       极紫外线光刻设备由荷兰的ASML垄断,价格被认为每台约合150亿日元,要建立生产线,需要数千亿日元规模,没有资金实力和技术实力难以启动投资。

 

       世界第3大代工企业美国格芯(Global Foundries)难以承受巨额负担,放弃了电路线宽14纳米以后的开发。排在第4位的台湾联华电子(UMC)也没有取得进展。

 

       有能力展开巨额投资的仅限于三星、台积电(TSMC)和美国英特尔这“半导体3强”。

 

       极紫外线光刻:在硅基板上形成半导体微细电路的光刻技术之一。光源采用波长13.5纳米这一极短的极紫外线(EUV)。光源的波长越短,越能形成微细的电路,能进一步提高半导体的性能。不过,技术门槛很高,只有荷兰ASML一家企业能制造设备。佳能和尼康已放弃开发。

  

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