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中美领跑碳纳米管研发 发现国日本存在感低

2019/11/28

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       针对将碳原子连成筒状的“碳纳米管”,将之作为电子领域元件加以应用的研究的关注再次提高。一直通过微细化来提高性能的硅制半导体开始面临极限,碳纳米管研究意在代替硅制半导体。该领域主要由中美的大学和新创企业拉动研究,碳纳米管的发现国日本的存在感正在下降。

 

       直径为1纳米左右的碳纳米管由日本名城大学终身教授饭岛澄男在1991年任职于NEC时发现。碳纳米管被发现具备重量轻且强韧的特色,在导电性等方面的也具备有趣的性能,与呈球状的“富勒烯”和呈片状的“石墨烯”一起,成为2000年前后在世界范围内热门的纳米技术领域的代表性材料。

 

 

       根据碳原子连接方式的不同,碳纳米管分为容易导电的金属型以及与硅具有相同性质的半导体型两种。力争将其用作电子元件的研究一度较为活跃,但未能解决无法顺利分离金属型和半导体型的课题,持续处于看不到明显进展的阶段。

 

       近来,顺利地仅使用半导体型的方法问世,出现了打开局面的趋势。2016年与富士通的半导体子公司“富士通半导体”就共同研究达成协议的美国新创企业Nantero就是例子之一。

 

       Nantero拥有精密制造碳纳米管的自主技术,应用于广泛使用半导体型的DRAM和关闭电源后仍能保留信息的“非易失性”等存储元件的技术已有眉目。

 

       在非易失性存储器方面,该公司计划在2020年之前造出容量为2MB~16MB级别的试制品。这种产品与目前主流的闪存形成竞争,但据悉发挥耗电量不到四分之一的优点,能用于各种信息终端设备。

 

       富士通半导体的统括部长代理斋藤仁期待称,“将成为符合所有产品都接入互联网的物联网(IoT)时代的存储元件”。

 

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