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三星在半导体存储器生产中率先引入新技术

2020/03/26

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  韩国三星电子3月25日发布消息称,在半导体生产的主要工序中投产了使用新一代“EUV(极紫外线)”光刻设备的量产线。在半导体存储器领域,全球首家使用EUV光刻设备。三星时隔约20年正式引入新一代生产技术。

 

三星在华城工厂使用EUV光刻设备量产存储器(图片由三星电子提供)

   

  EUV是波长只有13.5纳米(纳米为10亿分之1米)的极短极紫外线。光刻设备被用于在硅晶圆上刻出半导体线路的重要工序。使用EUV光刻设备,能够以更短时间刻画出细微电路,从而降低制造成本。三星方面表示,“与以往的技术相比,不仅能够提高存储器的性能,生产效率也将提高至2倍”。

    

  三星向首尔近郊华城工厂的DRAM生产线中引入EUV光刻设备,并开始以100万个为单位供应最尖端的存储器产品。计划2020年内在平泽工厂也引入同样的量产线。

    

  三星是全球最大的存储器生产商。第2大存储器厂商韩国SK海力士计划2021年在DRAM生产线中引入EUV光刻设备。

      

  三星在2000年代初期引入了目前主流的“ArF”光刻技术。但是在左右半导体性能的线路宽度细微化方面,ArF技术已接近极限。三星将活用新一代EUV技术,先于其他厂商量产高性能半导体。

  

三星(REUTERS)

   

  在CPU等运算用半导体领域,EUV光刻设备已经被台湾积体电路制造(TSMC,台积电)和美国英特尔采用。三星开创了在半导体存储器领域使用EUV光刻设备的先河。

   

  EUV光刻设备由荷兰厂商ASML生产,每台售价超过100亿日元。有投资余力的半导体厂商有限,三星力争通过引入新技术来拉大与竞争对手的距离。

   

  日本经济新闻(中文版:日经中文网)细川幸太郎 首尔报道

  

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